檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="104" and cdept.raw="電子工程系"
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近年來因應商品需求，電源設計的功率密度要求越來越高，高頻化演變成一種趨勢，而氮化鎵半導體的出現，為高頻應用帶來新的突破。隨著氮化鎵技術穩定發展，元件可靠度也較以往高，對於不同需求的規格提供了更多選擇…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，更有適用於不同需求的規格可供選擇，在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性，得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…